三星打算在越南投资15亿美元建设芯片测试厂 —— 凭据为新厂址申请环境许可而提交的提案，该新工厂年产能将蕴含1533亿千兆比特（Gb）的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，以及另表2556亿千兆比特的NAND闪存芯片。

目前尚不明显该工厂是否已获得所有必要许可，还是仍在与当局进行协商。在越南，企业通

；嵩谄诖肪承砜善诩，先在建设工地上发展初步地基施工。

来自AI数据中心运营商的强劲内存芯片需要，已严沉造约了智能手机、笔记本电脑和汽车等行业的供给。文件显示，该工厂将专一于传统芯片。

只管对AI供给链的沉要性较低，但随着重要出产商将更多产能转向AI芯片造作，成熟的内存芯片也面对严沉欠缺。三星电子打算在越南投资39万亿越南盾（约合15亿美元）建设一家半导体测试工厂，其提案文件显示，此项扩建将有助于缓解因人为智能需要激增而导致的全球内存芯片欠缺。

凭据4月提交给本地当局文件显示，该新工厂已于河内以北60公里（37英里）的一处工业园区动工，预计将于2027年11月投产。